パルスレーザ蒸着による炭化けい素ヘテロエピタキシャル薄膜におけるポリタイプ形成の制御

KUSUMORI T; MUTO H; BRITO M E

文献

J-GLOBAL ID：200902233048138868 整理番号：04A0151008

パルスレーザ蒸着による炭化けい素ヘテロエピタキシャル薄膜におけるポリタイプ形成の制御

Control of polytype formation in silicon carbide heteroepitaxial films by pulsed-laser deposition

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巻： 84 号： 8 ページ： 1272-1274 発行年： 2004年02月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

パルスレーザ蒸着によるサファイア(0001)基板上のSiC薄...

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半導体薄膜

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