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J-GLOBAL ID：200902233267751567   整理番号：04A0346343

High-k絶縁膜HfO₂中の欠陥の原子構造と電子構造~第一原理計算による検討~

著者 (9件)： 白石賢二 (筑波大 物理学系) ,  山田啓作 (物質・材料研究機構) ,  斎藤峯雄 (物質・材料研究機構) ,  大野隆央 (物質・材料研究機構) ,  川原孝昭 (半導体先端テクノロジーズ) ,  鳥居和功 (半導体先端テクノロジーズ) ,  三橋理一郎 (半導体先端テクノロジーズ) ,  武藤彰良 (半導体先端テクノロジーズ) ,  堀内淳 (半導体先端テクノロジーズ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 0  ページ： 2  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,...

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分類 (1件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁膜 ,  HfO2 ,  欠陥 ,  原子構造 ,  電子構造 ,  第一原理計算