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J-GLOBAL ID:200902233802207146   整理番号:04A0182449

二次元Siマルチドットデバイス中のアンビポーラCoulombブロッケード特性

Ambipolar Coulomb Blockade Characteristics in a Two-Dimensional Si Multidot Device
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: 231-235  発行年: 2003年12月 
JST資料番号: W1355A  ISSN: 1536-125X  CODEN: ITNECU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (3件):
分類
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半導体-金属接触  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
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