二次元Siマルチドットデバイス中のアンビポーラCoulombブロッケード特性

NURYADI R; IKEDA H; ISHIKAWA Y; TABE M

文献

J-GLOBAL ID：200902233802207146 整理番号：04A0182449

二次元Siマルチドットデバイス中のアンビポーラCoulombブロッケード特性

Ambipolar Coulomb Blockade Characteristics in a Two-Dimensional Si Multidot Device

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資料名：
巻： 2 号： 4 ページ： 231-235 発行年： 2003年12月
JST資料番号： W1355A ISSN： 1536-125X CODEN： ITNECU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

超高密度集積,低消費電力デバイスとして単一電子/正孔トンネリ...

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半導体-金属接触 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般 , トランジスタ

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