文献

J-GLOBAL ID：200902234042192573   整理番号：09A0934594

大規模DMA-TEGのV_T変化におけるNMOS及びPMOS差の解析

Analysis of NMOS and PMOS Difference in V_T Variation With Large-Scale DMA-TEG

著者 (4件)： TSUNOMURA Takaaki (Millennium Res. Advanced Information Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(MIRAI-Selete), Tsukuba, JPN) ,  NISHIDA Akio (Millennium Res. Advanced Information Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(MIRAI-Selete), Tsukuba, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Millennium Res. Advanced Information Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(MIRAI-Selete), Tsukuba, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 56  号： 9  ページ： 2073-2080  発行年： 2009年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランダムな物理パラメータ変化から発生する電気特性のランダム変化が,大規模集積スケーリング進歩の大きな障害になっている。本稿では,V_T変化の原因を調査した。解析用に,100万MOSFETの超大規模素子マトリックスアレイ-テスト要素グループ(DMA-TEG)を開発した。ゲート長,ゲート幅,ゲート酸化物厚,側壁幅,チャネル応力,及び結晶構造の影響を,統合物理解析により評価した。さらに,ゲートポリシリコン欠乏変化,ゲート酸化物とチャネル界面電荷変化,及びランダムチャネルドーパント変動(RDF)の影響を,takeuchiプロット解析により評価した。結果により,前述の因子はV_T変化にほとんど影響しないことを示した。PMOSのV_T変化をRDFで明らかにした。しかし,NMOSのV_T変化はRDFだけで明らかにできなかった。NMOSとPMOSのV_T変化間のギャップを埋めるために,チャネルホウ素クラスタ化モデルを可能なメカニズムとして提供した。

シソーラス用語： *電圧 ,  MOSFET ,  *NMOS構造 ,  MOS構造 ,  チャネル ,  *ドーパント ,  ゆらぎ ,  変動 ,  ホウ素 ,  スケーリング【計数】 ,  超LSI ,  *PMOS構造 ,  *閾値電圧
準シソーラス用語： 超大規模集積化

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 大規模 ,  DMA ,  TEG ,  VT ,  NMOS ,  PMOS ,  解析