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J-GLOBAL ID：200902234998845583   整理番号：04A0097180

誘導結合Cl2/HBrプラズマ中のメタルゲートエッチングによるゲート誘電体表面の粗さ変化

Roughness Variations on Gate Dielectric Surfaces through Metal Gate Etching in Inductively Coupled Cl2/HBr Plasmas
著者 (9件)：
YAMAGISHI N

YAMAGISHI N について

(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)

Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN について

, 
KARAHASHI K

KARAHASHI K について

(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)

Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN について

, 
PARK J-W

PARK J-W について

(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)

Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN について

, 
MIYATA N

MIYATA N について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
HISAMATSU H

HISAMATSU H について

(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)

Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN について

, 
MISE N

MISE N について

(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)

Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN について

, 
NABATAME T

NABATAME T について

(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN)

Assoc. Super-Advanced Electronics Technol. (ASET), Ibaraki, JPN について

, 
HORIKAWA T

HORIKAWA T について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
TORIUMI A

TORIUMI A について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について


資料名：
Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)

Proceedings of International Symposium on Dry Process について


巻： 3rd  ページ： 105-110  発行年： 2003年11月13日 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*プラズマエッチング

プラズマエッチング について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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窒化チタン

窒化チタン について

,...
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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

,  プラズマ応用 
(BJ02110K)

プラズマ応用 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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誘導結合

誘導結合 について

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HBr

HBr について

, 
プラズマ

プラズマ について

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メタルゲート

メタルゲート について

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エッチング

エッチング について

, 
ゲート誘電体

ゲート誘電体 について


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