水素化非晶質シリコンの熱アニール/酸化により作製したSiナノドットの形成制御

HAZRA S; SAKATA I; YAMANAKA M; SUZUKI E

文献

J-GLOBAL ID：200902235304520468 整理番号：05A0060741

水素化非晶質シリコンの熱アニール/酸化により作製したSiナノドットの形成制御

Control on the formation of Si nanodots fabricated by thermal annealing/oxidation of hydrogenated amorphous silicon

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巻： 96 号： 12 ページ： 7532-7536 発行年： 2004年12月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

超薄a-Si:H膜(2~10nm)からアニールと熱酸化によっ...

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半導体薄膜

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