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J-GLOBAL ID：200902235351690134   整理番号：05A0055955

3D-OTPメモリにおけるSiO₂のアンチヒューズの評価

Evaluation of SiO₂ Antifuse in a 3D-OTP Memory

著者 (5件)： LI F (Matrix Semiconductor, Inc., CA, USA) ,  YANG X (Matrix Semiconductor, Inc., CA, USA) ,  MEEKS A T (Matrix Semiconductor, Inc., CA, USA) ,  SHEARER J T (Matrix Semiconductor, Inc., CA, USA) ,  LE K Y (Matrix Semiconductor, Inc., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 4  号： 3  ページ： 416-421  発行年： 2004年09月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンチヒューズ技術は,伝統的に複雑なロジックやメモリICに,...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...
準シソーラス用語： OTPメモリ ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3D ,  OTP ,  SiO2 ,  ヒューズ ,  評価