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J-GLOBAL ID：200902235686769380   整理番号：09A0421258

ZnO/SiO₂薄膜界面における高圧水蒸気アニール処理効果

著者 (5件)： 藤井茉美 (奈良先端科学技術大学院大) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大) ,  矢野裕司 (奈良先端科学技術大学院大) ,  畑山智亮 (奈良先端科学技術大学院大) ,  冬木隆 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 555  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *二酸化ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *界面 ,  化合物半導体 ,  *水蒸気 ,  *焼なまし ,  水素 ,  *不動態化 ,  ダングリングボンド ,  炭素 ,  深さプロフィル ,  組成 ,  *改変

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  SiO2 ,  薄膜 ,  界面 ,  高圧水蒸気 ,  アニール処理