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J-GLOBAL ID:200902236090516995   整理番号:08A0824376

一般化勾配近似に基づいたCo2MnSi,Ni2MnAlおよびRu2MnSiの磁性についてのFull-Potential Screened KKR計算

Full-Potential Screened KKR Calculations for Magnetism of Co2MnSi, Ni2MnAl and Ru2MnSi, Based on the Generalized Gradient Approximation
著者 (6件):
資料名:
巻: 49  号:ページ: 1760-1767 (J-STAGE)  発行年: 2008年 
JST資料番号: G0668A  ISSN: 1345-9678  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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フルホイスラー合金(X2YZ),例えば,Co2MnSi(X=Co,Y=Mn,Z=Si),Ni2MnAl(X=Ni,Y=Mn,Z=Al)およびRu2MnSi(X=Ru,Y=Mn,Z=Si)の非磁性(NM),強磁性(FM)および反強磁性(AFM)についての系統的なab-initio計算を示す。計算は,密度汎関数法における一般化勾配近似と結合したall-electron full-potential(FP)screened Korringa-Kohn-Rostoker(KKR)Green関数法に基づいている。この計算は,これら合金(Co2MnSiおよびNi2MnAlのFM,Ru2MnSiのAFM)の実験的基底状態と格子定数および磁気モーメントについての有用な測定値を非常に良く再現していることを示している。Co2MnSi(強いFM)およびNi2MnAl(弱いFM)の磁性の基本的な様相をMnスピン-フリップエネルギーおよび,X(=Co,Ni)におけるMn-Mn交換相互作用エネルギーを用いて理解され,これらの両方とも不純物系についてのこのFP-KKR計算によって得られることを示している。Ni2MnAlの磁性は,高温で生じる原子秩序(B2構造)によってFMからAFMへ変化するかも知れないことを表すことができる。(翻訳著者抄録)
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磁気的性質 
引用文献 (32件):
  • 1) Half-metallic alloys: fundamentals and applications (Lecture Notes in Physics Vol. 676), ed by Galanakis and P. H. Dederichs (Springer, Berlin, 2005).
  • 2) P. J. Webster and K. R. A. Ziebeck: Heusler Alloys and Compounds of d-Elements with Main Group Elements (Landolt-Bornstein-Group III Condensed Matter. Part 2 vol. 19c), ed by H. R. J. Wijn (Springer, Berlin, 1988).
  • 3) As the spin-orbit interaction induce the mixing of up-spin and down-spin electrons, it is impossible to obtain the spintronics devise of complete (100%) spin-polarization. However, it was shown by Marvropoulos et al. (Phys. Rev. B 69 (2004), 054424) that the effect due to the spin-orbit interaction is very small for the materials such as 3d element-based alloys. For example, the 100% spin-polarization for the NiMnSb, obtained by the calculations without the spin-orbit interaction, decreases only by ∼1% by taking into account the spin-orbit interaction.
  • 4) S. Fujii, S. Sugimura, S. Ishida and S. Asano: J. Phys.: Condens. Matter 2 (1990) 8583.
  • 5) M. P. Raphael, B. Ravel, M. A. Willard, S. F. Cheng, B. N. Das, R. M. Stroud, K. M. Bussmann, J. H. Claassen and V. G. Harris: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 4396.
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