文献

J-GLOBAL ID：200902236640123325   整理番号：04A0537675

ドライエッチングと再成長過程で作製したGaInAsP/InP部分的歪補正した多重量子細線レーザ

GaInAsP/InP Partially Strain-Compensated Multiple-Quantum-Wire Lasers Fabricated by Dry Etching and Regrowth Processes

著者 (8件)： YAGI H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SANO T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OHIRA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  PLUMWONGROT D (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MARUYAMA T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HAQUE A (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TAMURA S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 6A  ページ： 3401-3409  発行年： 2004年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビームリソグラフィー,CH₄/H<...

シソーラス用語： *量子細線 ,...

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分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (29件)：

• 1) M. Asada, Y. Miyamoto and Y. Suematsu: IEEE J. Quantum Electron. 22 (1986) 1915.
• 2) Y. Arakawa and A. Yariv: IEEE J. Quantum Electron. 22 (1986) 1887.
• 3) Y. Miyake and M. Asada: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 1280.
• 4) Y. Miyamoto, M. Cao, Y. Shingai, K. Furuya, Y. Suematsu, K. G. Ravikumar and S. Arai: Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1987) L225.
• 5) E. Kapon, S. Simhony, R. Bhat and D. M. Hwang: Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 2715.

タイトルに関連する用語 (8件)： ドライエッチング ,  成長過程 ,  作製 ,  GaInAsP ,  InP ,  歪補正 ,  多重 ,  量子細線レーザ