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J-GLOBAL ID：200902237167942298   整理番号：09A0082529

極薄SiO₂膜法を用いてSi基板上にエピタキシャル成長させたGaSb量子ドットの形成及び光学的性質

Formation and optical properties of GaSb quantum dots epitaxially grown on Si substrates using an ultrathin SiO₂ film technique

著者 (3件)： NAKAMURA Yoshiaki (Dep. of Applied Physics, Quantum-Phase Electronics Center, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...) ,  SUGIMOTO Tomohiro (Dep. of Applied Physics, Quantum-Phase Electronics Center, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...) ,  ICHIKAWA Masakazu (Dep. of Applied Physics, Quantum-Phase Electronics Center, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 105  号： 1  ページ： 014308  発行年： 2009年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上にGaSb量子ドットをエピタキシャル成長させる方法を開発した。この方法ではエピタキシャルGe核を含む極薄SiO₂膜を用いる。Si上のVolmer-Weber型GaSb量子ドットとは異なり,ドット密度は高く(10⁹~10¹²cm^-2),ドットサイズはほぼ10~100nmの範囲内に制御されていた。量子ドットの核形成は,Ge核上にGa原子が捕獲されることにより始まる。5Kで光ルミネッセンス(PL)分光を行った。その結果,ドット底部の長さが100nmから7nmに減少するにつれて,GaSbドット中の量子閉じ込め効果のために,PLピークは0.76eVから連続的に約30meVだけ青方偏移することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *アンチモン化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *MBE成長 ,  ケイ素 ,  基板 ,  二酸化ケイ素 ,  *光ルミネセンス ,  粒度依存性 ,  青方偏移
準シソーラス用語： 粒子サイズ依存性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  Si基板 ,  エピタキシャル成長 ,  GaSb ,  量子ドット ,  光学的性質