文献

J-GLOBAL ID：200902237793403021   整理番号：09A0214463

磁気トンネル接合素子を用いた予備電源不要小型三元内容アドレス可能メモリセルチップ

Standby-Power-Free Compact Ternary Content-Addressable Memory Cell Chip Using Magnetic Tunnel Junction Devices

著者 (11件)： MATSUNAGA Shoun (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HIYAMA Kimiyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUMOTO Atsushi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HASEGAWA Haruhiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA Katsuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA Katsuya (Hitachi Advanced Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  HAYAKAWA Jun (Hitachi Advanced Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANYU Takahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 2  ページ： 023004.1-023004.3  発行年： 2009年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.14μmCMOS工程による3.15μm²の小型三元内容アドレス可能メモリ(TCAM)セルをスピン注入書込を有する不揮発性磁気トンネル接合(MTJ)素子を用いて実現した。不揮発性MTJを有するロジック-イン-メモリ構造に基づくこのTCAMセルは予備電源が不要であるが,外部不揮発素子へのデータバックアップ無しに電源電圧を瞬時にシャットダウンできる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  記憶素子 ,  半導体 ,  *CMOS構造 ,  スピン分極 ,  注入 ,  *不揮発性メモリ ,  CMOS ,  *磁気トンネル接合 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： メモリセル ,  スピン注入

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (16件)：

• HANZAWA, S. IEEE Proc. Int. Conf. Communications, 2005. 2005, 1048
• WANG, J.-S. IEEE Int. Solid-State Circuit Conf. Dig. Tech. Pap., 2006. 2006, 166
• KIM, Y.-D. IEEE Int. Solid-State Circuit Conf. Dig. Tech. Pap., 2006. 2006, 168
• IKENAGA, T. IEEE J. Solid-State Circuits. 2000, 35, 536
• LIN, P.-F. IEEE J. Solid-State Circuits. 2002, 37, 1307

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁気トンネル接合素子 ,  予備電源 ,  アドレス ,  メモリセル