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J-GLOBAL ID：200902237806041728   整理番号：05A1022911

雰囲気加熱によるSi基板上のSiO₂薄膜の厚み計測工学のための浄化法

Cleaning Method for Thickness Metrology of SiO₂ Thin Films on Si Substrates by Heating in Atmosphere

著者 (3件)： AZUMA Yasushi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUJIMOTO Toshiyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA Isao (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 11  ページ： 8256-8258  発行年： 2005年11月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上のSiO₂の厚みを正確に評価...

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 長さ,面積,断面,体積,容積,角度の計測法・機器  (AD05020O)

引用文献 (10件)：

• 1) International Technology Roadmap for Semiconductor, 2003 ed., http://public.itrs.net/
• 2) M. P. Seah, S. J. Spencer, F. Bensebaa, I. Vickridge, H. Danzebrink, M. Krumrey, T. Gross, W. Oesterle, E. Wendler, B. Rheinländer, Y. Azuma, I. Kojima, N. Suzuki, M. Suzuki, S. Tanuma, D. W. Moon, H. J. Lee, H. M. Cho, H. Y. Chen, A. T. S. Wee, T. Osipowicz, J. S. Pan, W. A. Jordaan, R. Hauert, U. Klotz, C. van der Marel, M. Verheijen, Y. Tamminga, C. Jeynes, P. Bailey, S. Biswas, U. Falke, N. V. Nguyen, D. Chandler-Horowitz, J. R. Ehrstein, D. Muller and J. A. Dura: Surf. Interface Anal. 36 (2004) 1269.
• 3) M. P. Seah: J. Vac. Sci. Technol. A 22 (2004) 1564.
• 4) CCQM, Consultative Committee for Amount of Substance-Metrology in Chemistry, http://www.bipm.fr/en/committees/cc/ccqm/
• 5) D. A. Cole, J. R. Shallenberger, S. W. Novak, R. L. Moore, M. J. Edgell, S. P. Smith, C. J. Hitzman, J. F. Kirchhoff, E. Principe, W. Nieveen, F. K. Huang, S. Biswas, R. J. Bleiler and K. Jones: J. Vac. Sci. Technol. B 18 (2000) 440.

タイトルに関連する用語 (7件)： 雰囲気 ,  Si基板 ,  SiO2 ,  薄膜 ,  厚み計測 ,  工学 ,  浄化法