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J-GLOBAL ID：200902239341537708   整理番号：09A0152100

Cu(Ti)・低k試料における自己成形Tiリッチ界面層のキャラクタリゼーション

Characterization of Self-Formed Ti-Rich Interface Layers in Cu(Ti)/Low-k Samples

著者 (7件)： KOHAMA Kazuyuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ITO Kazuhiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TSUKIMOTO Susumu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MORI Kenichi (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  MAEKAWA Kazuyoshi (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  MURAKAMI Masanori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MURAKAMI Masanori (Ritsumeikan Trust, Kyoto, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 37  号： 8  ページ： 1148-1157  発行年： 2008年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来の超LSIに用いる可能性がある誘電体層である低k SiO_xC_y,SiCO,およびSiCNの各層上に,Cu(Ti)合金膜を蒸着してからアニールし,合金膜と誘電体層間に自己成形されるTiリッチ界面層を調べた。各界面層の微細構造を,透過型電子顕微鏡観察と二次イオン質量分析により解析し,Cu(Ti)膜の電気特性との相互関係を求めた。界面層の組成を決める主要因は,Ti化合物形成のエンタルピーよりも誘電体層中のC濃度であった。誘電体層中のC濃度が17at%以上のとき,結晶性のTiCが誘電体層上に形成された。

シソーラス用語： 銅合金 ,  チタン含有合金 ,  *金属薄膜 ,  誘電率 ,  誘電体薄膜 ,  成形 ,  境界層 ,  キャラクタリゼーション ,  被覆層 ,  電子顕微鏡観察 ,  二次イオン質量分析
準シソーラス用語： 界面層 ,  自己成形 ,  障壁層

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  Ti ,  試料 ,  自己 ,  界面層 ,  キャラクタリゼーション