イオン注入SiC結晶の深紫外Raman散乱評価

NAKASHIMA S.; MITANI T.; SENZAKI J.; OKUMURA H.; YAMAMOTO T.

文献

J-GLOBAL ID：200902239586379474 整理番号：05A0715910

イオン注入SiC結晶の深紫外Raman散乱評価

Deep ultraviolet Raman scattering characterization of ion-implanted SiC crystals

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=05A0715910&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0715910&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 97 号： 12 ページ： 123507.1-123507.8 発行年： 2005年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

多重エネルギーのりんイオンを室温および高温(500°C)で4H...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0715910&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

半導体の放射線による構造と物性の変化 , 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル

, , , , ,

前のページに戻る