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J-GLOBAL ID：200902239848223462   整理番号：07A0951705

低損失・高周波動作が可能なMOSFET用共振形ゲートドライブ回路

A Resonant Gate-Drive Circuit Capable of High-Frequency and High-Efficiency Operation

著者 (2件)： 石垣将紀 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  藤田英明 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
巻： 127  号： 10  ページ： 1090-1096  発行年： 2007年10月01日 
JST資料番号： X0451A  ISSN： 0913-6339  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 低損失かつ高周波動作が可能なMOSFET用共振形ゲートドライ...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 高周波インバータ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (17件)：

• (1) H. Ohashi: “Recent development SiC power device”, J. IEE Japan, Vol. 122, No. 3, pp. 168-171 (2002-3) (in Japanese)
• 大橋弘通: 「最近のパワーデバイスの動向」, 電学誌, 122, 3, pp. 168-171 (2002-3)
• (2) A. D. Pathak and S. Ochi: “Unique MOSFET/IGBT drivers and their applications in future power electronic systems”, Proc. IEEE Conf. on PEDS 2003, Vol. 1, pp. 85-88 (2003)
• (3) K. Takao, T. Yatsuo, and K. Arai: “High di/dt switching characteristics of a SiC shottky barrier diode”, IEEJ Trans. IA, Vol. 124, No. 9, pp. 917-923 (2004-9) (in Japanese)
• 高尾和人・八尾 勉・荒井和雄: 「SiCショットキーバリアダイオードの高 di/dt スイッチング特性」, 電学論D, 124, 9, pp. 917-923 (2004-9)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低損失 ,  高周波 ,  MOSFET ,  共振 ,  ゲートドライブ回路