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J-GLOBAL ID：200902240308125877   整理番号：04A0753181

放電生成プラズマ方式における半導体リソグラフィ用極端紫外光源の特性評価

著者 (9件)： 岩田和宏 (東京工大) ,  SONG I H (東京工大) ,  本間友祐 (東京工大) ,  MASNAVI M (東京工大) ,  渡辺正人 (東京工大) ,  沖野晃俊 (東京工大) ,  安岡康一 (東京工大) ,  堀岡一彦 (東京工大) ,  堀田栄喜 (東京工大)
資料名： 電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集  (Proceedings of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan)
巻： 2004  ページ： 4  発行年： 2004年08月30日 
JST資料番号： L3783A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *紫外光源 ,...

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分類 (2件)： 光源  (BD07020D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 放電 ,  プラズマ ,  半導体リソグラフィ ,  極端紫外光源 ,  特性評価