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J-GLOBAL ID：200902240517585117   整理番号：04A0095244

HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ

Hafnium Carbide Coated Poly-crystalline Silicon Field Emitter Array

著者 (6件)： 長尾昌善 (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門) ,  佐長裕 (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門) ,  金丸正剛 (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門) ,  佐藤貴伸 (筑波大 物理工学系) ,  松川貴 (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門) ,  伊藤順司 (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 103  号： 497(ED2003 180-193)  ページ： 1-6  発行年： 2003年12月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 熱酸化膜を形成したシリコン基板上にHfC被覆ポリシリコンフィ...

シソーラス用語： 電界放出 ,...
準シソーラス用語： Fowler-Nordheimプロット

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分類 (3件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子源,イオン源  (BD02020U)

タイトルに関連する用語 (1件)： HFC