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J-GLOBAL ID：200902241178832386   整理番号：07A0862924

AlGaN/GaNへテロ構造上のSchottkyゲート付近における表面伝導の機構

Mechanism of surface conduction in the vicinity of Schottky gates on AlGaN/GaN heterostructures

著者 (4件)： KOTANI Junji (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  TAJIMA Masafumi (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  KASAI Seiya (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 91  号： 9  ページ： 093501-1-093501-3  発行年： 2007年08月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNへテロ構造における横表面表面漏れ電流(I<...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  テロ ,  ゲート ,  表面伝導