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J-GLOBAL ID：200902241455960320   整理番号：04A0532690

プラズマ支援分子線エピタキシによって成長したInAlN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ

InAlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy

著者 (2件)： HIGASHIWAKI M (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUI T (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 6B  ページ： L768-L770  発行年： 2004年06月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAlN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFETs...

シソーラス用語： X線回折 ,...
準シソーラス用語： 電流・電圧特性

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• 1) T. Matsuoka: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 105.
• 2) M. Higashiwaki and T. Matsui: J. Cryst. Growth 251 (2003) 494.
• 3) K. S. Kim, A. Saxler, P. Kung, M. Razeghi and K. Y. Lim: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 800.
• 4) T. Peng, J. Piprek, G. Qiu, J. O. Olowolafe, K. M. Unruh, C. P. Swann and E. F. Schubert: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2439.
• 5) S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 876.

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  支援 ,  分子線エピタキシ ,  成長 ,  InAlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ