4H-SiCエピタキシャル層の基底面転位におよぼす成長条件の影響

OHNO T; YAMAGUCHI H; KURODA S; KOJIMA K; SUZUKI T; ARAI K

文献

J-GLOBAL ID：200902241553670771 整理番号：04A0797821

4H-SiCエピタキシャル層の基底面転位におよぼす成長条件の影響

Influence of growth conditions on basal plane dislocation in 4H-SiC epitaxial layer

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巻： 271 号： 1/2 ページ： 1-7 発行年： 2004年10月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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