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J-GLOBAL ID：200902241601184566   整理番号：06A0516016

InGaAs勾配組成歪軽減層を用いた量子ドットのサブバンドエネルギー準位の制御

Control of subband energy levels of quantum dots using InGaAs gradient composition strain-reducing layer
著者 (4件)：
AMANO T.

AMANO T. について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan and ...)

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YAMAUCHI S.

YAMAUCHI S. について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan and ...)

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SUGAYA T.

SUGAYA T. について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan and ...)

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KOMORI K.

KOMORI K. について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan and ...)

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資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 88  号： 26  ページ： 261110-261110-3  発行年： 2006年06月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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InGaAs勾配組成歪軽減層を(GC-SRL)を用いて量子ド...
シソーラス用語：
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*ヒ化ガリウムインジウム

ヒ化ガリウムインジウム について

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勾配組成

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分類 (1件)：
分類
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半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

半導体結晶の電子構造 について

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タイトルに関連する用語
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勾配

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組成

組成 について

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歪

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サブバンド

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エネルギー準位

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