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J-GLOBAL ID：200902242550736158   整理番号：09A0383834

ナノプローブインデンテーションによる量子ドット光ルミネセンスにおける直接-間接遷移の観測

Direct-to-indirect transition observed in quantum dot photoluminescence with nanoprobe indentation

著者 (7件)： OZASA Kazunari (RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  MAEDA Mizuo (RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  HARA Masahiko (RIKEN, 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  KAKOI Hiroki (Saitama Univ., 255 Shimo-ookubo, Sakuraku, Saitama 338-8570, JPN) ,  XU Lixia (Saitama Univ., 255 Shimo-ookubo, Sakuraku, Saitama 338-8570, JPN) ,  LIANG Yuan-hua (Saitama Univ., 255 Shimo-ookubo, Sakuraku, Saitama 338-8570, JPN) ,  ARAI Yoshio (Saitama Univ., 255 Shimo-ookubo, Sakuraku, Saitama 338-8570, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 27  号： 2  ページ： 934  発行年： 2009年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs/GaAs量子ドット(QD)の光ルミネセンス(PL)がナノプローブのインデンテーションによって誘起された局所的歪効果によって増強され,その後クエンチされることを見出した。半径600nmの平坦円柱頂点を有するナノプローブを用いることによって,単一のQDに起因する個々のPL微細構造ピークのクエンチを解析し,ナノプローブに対するQDの位置とPLをクエンチするために必要なインデンテーション力との関係を求めた。数値シミュレーションを介してQDと周囲のGaAs母材のバンド構成における直接-間接遷移を解析することにより,PLクエンチはInGaAsのΓバンドとXバンドの交差に帰せられると結論した。シミュレーション結果を実験データにあてはめ,InGaAsXバンドのボーイングパラメータとして1050±50meVを導いた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *量子ドット ,  *光ルミネセンス ,  マイクロプローブ ,  *ナノインデンテーション ,  赤外発光スペクトル ,  格子歪 ,  バンド交差 ,  *バンド構造 ,  消光 ,  *歪分布
準シソーラス用語： ナノプローブ ,  数値シミュレーション

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子ドット ,  光ルミネセンス ,  間接遷移 ,  観測