50nmダイナミックランダムアクセスメモリ用のRu/結晶性Ta2O5/RuキャパシターにおけるRu電極とTiNバリアーの間の接触抵抗の改良

LIM HanJin; CHUNG Suk-Jin; LEE Kwang Hee; LEE Jinil; KIM Jin Yong; YOO Cha-Young; KIM Sung-Tae; CHUNG U-In; MOON Joo-Tae

文献

J-GLOBAL ID：200902242989280916 整理番号：05A0535173

50nmダイナミックランダムアクセスメモリ用のRu/結晶性Ta₂O₅/RuキャパシターにおけるRu電極とTiNバリアーの間の接触抵抗の改良

Improvement of Contact Resistance between Ru Electrode and TiN Barrier in Ru/Crystalline-Ta₂O₅/Ru Capacitor for 50nm Dynamic Random Access Memory

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資料名：
巻： 44 号： 4B ページ： 2225-2229 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

Ru電極を用いた結晶性のTa2O<su...

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半導体集積回路

引用文献 (6件)：

1) S.-J. Won, W.-D. Kim, C.-Y. Yoo, S.-T. Kim, Y.-W. Park, J.-T. Moon and M.-Y. Lee: Int. Electron Device Meet. Tech. Dig. (2000) p. 789.
2) W.-D. Kim, J.-H. Joo, Y.-K. Jeong, S.-J. Won, S.-Y. Park, S.-C. Lee, C.-Y. Yoo, S.-T. Kim and J.-T. Moon: Int. Electron Device Meet. Tech. Dig. (2001) p. 263.
3) M. Hiratani, S. Kimura, T. Hamada, S. Iijima and N. Nakanishi: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 2433.
4) J.-H. Choi, S.-J. Chung, W.-D. Kim, K.-H. Lee, H.-J. Lim, J.-I. Lee, S.-H. Oh, J.-H. Chung, C.-Y. Yoo, S.-T. Kim, U.-I. Chung and J.-T. Moon: Proc. 11th Korean Conf. Semiconductors (KCS, Seoul, 2003) p. 155.
5) Y. Nakamura, T. Kawagoe, H. Sakuma, H. Yamaguchi, I. Asano, M. Horikawa, K. Kuroki, K. Tanaka, Y. Ueda and H. Goto: Ext. Abstr. 2003 Int. Conf. Solid State Device and Materials (Japan Society of Applied Physics, Tokyo, 2003) p. 752.

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