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J-GLOBAL ID：200902243224463148   整理番号：04A0190047

高品質PドープZnTe単結晶の不純物準位

Impurity levels of high quality p-doped ZnTe single crystal

著者 (6件)： YOSHINO K (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  YONETA M (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  ARAKAWA A (Nikko Materials Co. Ltd., Saitama, JPN) ,  OHMORI K (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  SAITO H (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  OHISIHI M (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN)
資料名： Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002  (Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002)
ページ： 631-634  発行年： 2003年 
JST資料番号： K20030106  ISSN： 1610-1634  ISBN： 3-527-40435-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質ZnTe基板(111)からの光ルミネセンス(PL)スペ...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高品質 ,  ドープ ,  ZnTe ,  単結晶 ,  不純物準位