文献

J-GLOBAL ID：200902244102260935   整理番号：07A0206948

YSZ(111)とSi(111)との間の無双晶エピタキシャル薄膜横方向関係

Twin-Free Epitaxial Films Lateral Relation between YSZ(111) and Si(111)

著者 (10件)： KANEKO Satoru (Kanagawa Prefectural Government, Kanagawa, JPN) ,  AKIYAMA Kensuke (Kanagawa Prefectural Government, Kanagawa, JPN) ,  OGUNI Taku (Tokyo Polytechnic Univ., Kanagawa, JPN) ,  ITO Takeshi (Kanagawa Prefectural Government, Kanagawa, JPN) ,  HIRABAYASHI Yasuo (Kanagawa Prefectural Government, Kanagawa, JPN) ,  OHYA Seishiro (Kanagawa Prefectural Government, Kanagawa, JPN) ,  SEO Koichi (PANAlytical, Tokyo, JPN) ,  SAWADA Yutaka (Tokyo Polytechnic Univ., Kanagawa, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa, JPN) ,  YOSHIMOTO Mamoru (Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 45  号： 46-50  ページ： L1328-L1330  発行年： 2006年12月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜を,遅い堆積速度でS...

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,...
準シソーラス用語： *イットリア安定化ジルコニア

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0206948&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (28件)：

• FORK, D. K. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 2294
• KADO, Y. J. Appl. Phys. 1987, 61, 2398
• MORI, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L1415
• FORK, D. K. Appl. Phys. Lett. 1990, 57, 1137
• SANCHEZ, F. J. Mater. Res. 1998, 13, 1422

タイトルに関連する用語 (6件)： YSZ ,  Si ,  双晶 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  横方向