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J-GLOBAL ID：200902244687816038   整理番号：04A0504118

248nm光曝露時の化学増幅レジストからのガス放出のその場測定

In-situ Measurement of Outgassing from Chemically Amplified Resist during Exposure to 248nm Light

著者 (4件)： SEKIGUCHI A (Litho Tech Japan Corp., Saitama, JPN) ,  ISONO M (Litho Tech Japan Corp., Saitama, JPN) ,  KONO Y (Litho Tech Japan Corp., Saitama, JPN) ,  SENSU Y (Litho Tech Japan Corp., Saitama, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 17  号： 1  ページ： 107-113  発行年： 2004年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光に曝露したフォトレジストからの放出ガス成分は,時折アライナ...

シソーラス用語： *化学増幅レジスト ,...
準シソーラス用語： VOC【化合物】 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  分解反応  (CF02080P)

物質索引 (3件)： エタノール ,  アセトアルデヒド ,  ビス[(4-クロロフェニル)スルホニル]ジアゾメタン

引用文献 (19件)：

• [1] R. R. Kunz, and D. K. Downs, J. Vac. Sic. Technol, 6 (1999) 17.
• [2] F. M. Houlihan, I. L. Rushkin, R. S. Hutton, A. G. Timko,O. Nalamasu, E. Reichmanis, A. H. Gabor, A. N. Medina, S. Malik, M. Neiser, R. R. Kunz, and D. K. Downs, Proc. SPIE 3678 (1999) 264.
• [3] H. Ito and C. G. Willson, ASC Symp. Ser. 2 (1984) 11.
• [4] R. A. Ferguson, C. A. Spence, Y. S. Shacham-Diamand and A. R. Neureuther, Proc. SPIE 1086 (1989) 262.
• [5] R. A. Ferguson, C. A. Spence, E. Reichmanis, L. F. Thompson and A. R. Neureuther, Proc. SPIE 1262 (1990) 412.

タイトルに関連する用語 (4件)： 光曝露 ,  化学増幅レジスト ,  ガス放出 ,  その場測定