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J-GLOBAL ID：200902244732273970   整理番号：09A0753684

Faradayケージを用いるSiの斜め方向プラズマエッチング

Oblique-Directional Plasma Etching of Si Using a Faraday Cage

著者 (6件)： LEE Jin-Kwan (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Seung-Haeng (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  MIN Jae-Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  JANG Il-Yong (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Chang-Koo (Ajou Univ., Suwon, KOR) ,  MOON Sang Heup (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 156  号： 7  ページ： D222-D225  発行年： 2009年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siの高アスペクト比エッチング法としては気体チョッピング(またはBosch)プロセスが知られているが,この方法では基板表面に垂直な方向にしかエッチングすることができない。角度を自由に変化させて高アスペクト比エッチングする技法を開発することを目的として,上部水平グリッド面の内部に傾斜した基板ホルダーを有するFaradayケージの利用を検討した。この装置を用いてSF₆およびC₄F₈によるSiの斜め方向プラズマエッチングを検討した。斜め方向エッチングにおいては斜め角度イオンの衝撃によるシャドー効果によってエッチングプロフィルが変化することを明らかにした。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *プラズマエッチング ,  *衝突 ,  フッ化硫黄 ,  脂肪族フッ素化合物 ,  アスペクト比
準シソーラス用語： *斜め衝突

分類 (3件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ケージ ,  Si ,  斜め方向 ,  プラズマエッチング