文献

J-GLOBAL ID：200902245053751533   整理番号：05A0197105

単一エネルギー陽電子ビームを用いて調べた,SiGe/Si構造上に堆積した歪Si層中の空格子点型欠陥

Vacancy-type defects in strained-Si layers deposited on SiGe/Si structures probed by using monoenergetic positron beams

著者 (6件)： UEDONO A (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HATTORI N (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  NARUOKA H (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  ISHIBASHI S (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI R (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OHDAIRA T (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 97  号： 2  ページ： 023532.1-023532.5  発行年： 2005年01月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si_0.75Ge_0.25<...

シソーラス用語： *空格子点 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0197105&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  電子・陽電子との相互作用一般  (BK16051U)

タイトルに関連する用語 (9件)： エネルギー ,  陽電子ビーム ,  SiGe ,  Si ,  堆積 ,  歪 ,  Si層 ,  空格子点 ,  欠陥