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J-GLOBAL ID:200902245489895999   整理番号:05A0586452

UVレーザ照射を用いるポジティブトーンジアゾナフトキノン/ノボラックレジストの除去

Removal of Positive-tone Diazonaphthoquinone/Novolak Resist Using UV Laser Irradiation
著者 (3件):
資料名:
巻: 18  号:ページ: 181-185  発行年: 2005年 
JST資料番号: L0202A  ISSN: 0914-9244  CODEN: JSTEEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
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高分子固体の物理的性質  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (8件):
  • 1. S. Saito and M. Minato, "Ashing equipment," Semiconductor World (Monthly) 64(1993) [in Japanese].
  • 2. A. Takanashi, Semicon News, 47(1988) [in Japanese].
  • 3. M. Ishibe and M. Takemori, "Development of equipment for single substrate resist removal", Shimada Rika Gihou, 11(1999) [in Japanese].
  • 4. S. Noda, H. Horibe, M. Kuzumoto and T. Kataoka, J. Adv. Oxidation Tech., 6(2) 132(2003).
  • 5. S. Noda, M. Miyamoto, H. Horibe, M. Kuzumoto and T. Kataoka, J. Electrochem. Soc., 150(9) 537(2003).
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