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J-GLOBAL ID：200902245567097140   整理番号：09A0810304

(775)B InP基板上にMBE成長した1.55μm帯面発光レーザ用量子細線のエネルギー準位

著者 (7件)： 松木豊和 (愛大 院) ,  今津晋二郎 (愛大 院) ,  下村哲 (愛大 院) ,  毛利如良 (愛大 院) ,  尾崎信二 (大阪大 大学院) ,  藤田剛也 (大阪大 大学院) ,  笹畑圭史 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集  (日本物理学会中国支部・四国支部・応用物理学会中国四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集)
巻： 2008  ページ： 121  発行年： 2008年 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 基板 ,  *リン化インジウム ,  *MBE成長 ,  面発光レーザ ,  *量子細線 ,  *エネルギー準位 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  断面 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 断面TEM観察

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  MBE成長 ,  面発光レーザ ,  量子細線 ,  エネルギー準位