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J-GLOBAL ID：200902248233849557   整理番号：09A0500836

プラズマ増進化学蒸着によるケイ素含有ダイヤモンド状炭素膜の製膜

Deposition of silicon-containing diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapour deposition

著者 (6件)： BABA K. (Applied Technol. Div., Industrial Technol. Center of Nagasaki, 2-1303-8, Ikeda, Omura, Nagasaki 856-0026, JPN) ,  BABA K. (Graduate School of Sci. and Technol., Nagasaki Univ., 1-14, Bunkyo, Nagasaki, Nagasaki 852-8131, JPN) ,  HATADA R. (Applied Technol. Div., Industrial Technol. Center of Nagasaki, 2-1303-8, Ikeda, Omura, Nagasaki 856-0026, JPN) ,  HATADA R. (Dep. of Materials Sci., Technische Universitaet Darmstadt, Petersenstr. 23, Darmstadt 64287, DEU) ,  FLEGE S. (Dep. of Materials Sci., Technische Universitaet Darmstadt, Petersenstr. 23, Darmstadt 64287, DEU) ,  ENSINGER W. (Dep. of Materials Sci., Technische Universitaet Darmstadt, Petersenstr. 23, Darmstadt 64287, DEU)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 203  号： 17-18  ページ： 2747-2750  発行年： 2009年06月15日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増進化学蒸着(PECVD)法に基づくDCグロー放電により,シリコンウエハ基板上にSi含有ダイヤモンド状炭素(Si-DLC)膜を形成した。供給ガスとしてアセチレン及びテトラメチルシラン(TMS)を用い,膜の組成は両者のガスの流量を変えることで変化させた。また負のDC電圧を基板ホルダーに印加した。Si-DLC膜の膜厚,表面形態,化学組成と化学状態等をSEM,X線光電子分光法,Raman分光法,AFM法により解析した。膜の熱安定性を評価するため,大気中,723~873Kで30分間焼鈍した。さらにボールオンディスク法を用いて膜のトライボロジー特性を調べた。Si-DLC膜の組成と構造は蒸着条件により変化し,TMSの流量が増加すると蒸着速度が増大した。膜の表面粗さは非常に低く,特別な構造は観察しなかった。Raman分光におけるD及びGバンドの位置及びその積分強度比I_D/I_GはSi量の増加と共に減少した。24at%Siを含有するDLC膜の摩擦係数は0.03と極めて低い値であった。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *DLC膜 ,  ダイヤモンド状炭素 ,  *製膜 ,  *プラズマCVD ,  グロー放電 ,  基板 ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  アルキン ,  有機ケイ素化合物 ,  膜厚 ,  表面構造 ,  化学組成 ,  熱安定性 ,  焼なまし ,  トライボロジー ,  表面粗さ ,  摩擦係数
準シソーラス用語： PECVD ,  アニール ,  シリコンウエハ ,  表面形態

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (2件)： アセチレン ,  テトラメチルシラン

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ ,  化学蒸着 ,  ケイ素 ,  ダイヤモンド状炭素 ,  製膜