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J-GLOBAL ID：200902248340603757   整理番号：05A0656214

原子的にフラットな表面をもつNiO及びLi-ドープNiO単結晶薄層の構造

Structure of NiO and Li-doped NiO single crystalline thin layers with atomically flat surface
著者 (7件)：
JOSHI U.s.

JOSHI U.s. について

(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagastuda-tyo, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)

Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagastuda-tyo, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN について

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TAKAHASHI R.

TAKAHASHI R. について

(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagastuda-tyo, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)

Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagastuda-tyo, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN について

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MATSUMOTO Y.

MATSUMOTO Y. について

(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagastuda-tyo, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)

Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagastuda-tyo, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN について

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MATSUMOTO Y.

MATSUMOTO Y. について

(Frontier and Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagastuda-tyo, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)

Frontier and Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagastuda-tyo, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN について

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KOINUMA H.

KOINUMA H. について

(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagastuda-tyo, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)

Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagastuda-tyo, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN について

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KOINUMA H.

KOINUMA H. について

(National Inst. of Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaragi, JPN)

National Inst. of Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaragi, JPN について

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KOINUMA H.

KOINUMA H. について

(CREST-Japan Sci. and Technol. Corp., 3-4-1 Nihonbashi Tyu-o-ku, Tokyo 103-0027, JPN)

CREST-Japan Sci. and Technol. Corp., 3-4-1 Nihonbashi Tyu-o-ku, Tokyo 103-0027, JPN について


資料名：
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

Thin Solid Films について


巻： 486  号： 1-2  ページ： 214-217  発行年： 2005年08月22日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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NiO及び名目20at%のLiドープNiOを格子整合MgO(...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*酸化ニッケル

酸化ニッケル について

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分類 (2件)：
分類
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酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

,  半導体の表面構造 
(BK15030A)

半導体の表面構造 について

タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
原子

原子 について

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フラット

フラット について

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NiO

NiO について

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Li

Li について

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ドープ

ドープ について

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単結晶

単結晶 について

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薄層

薄層 について


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