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J-GLOBAL ID：200902248500566276   整理番号：06A0156611

シリコンナノワイア金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタを用いた可変障壁を有する単一電子トンネル・トランジスタ

Single electron tunneling transistor with tunable barriers using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

著者 (7件)： FUJIWARA Akira (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  INOKAWA Hiroshi (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  YAMAZAKI Kenji (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  NAMATSU Hideo (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  TAKAHASHI Yasuo (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  ZIMMERMAN Neil M. (National Inst. of Standards and Technol. (NIST), 100 Bureau Drive, Gaithersburg, Maryland 20899) ,  MARTIN Stuart B. (National Inst. of Standards and Technol. (NIST), 100 Bureau Drive, Gaithersburg, Maryland 20899)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 88  号： 5  ページ： 053121-053121-3  発行年： 2006年01月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナノワイア金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(...

シソーラス用語： *単一電子トランジスタ ,...
準シソーラス用語： シリコンナノワイア ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン ,  ナノワイア ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  可変 ,  障壁 ,  単一電子 ,  トンネル ,  トランジスタ