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J-GLOBAL ID：200902248582481125   整理番号：04A0035428

真空アークプラズマ蒸蒸着法により堆積した透明導電性ZnO薄膜

Transparent conducting ZnO thin films deposited by vacuum arc plasma evaporation

著者 (4件)： MINAMI T (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  IDA S (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  MIYATA T (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  MINAMINO Y (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 445  号： 2  ページ： 268-273  発行年： 2003年12月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 安価な焼結酸化物のフラグメントを原料として,大面積基板上に共...

シソーラス用語： 薄膜成長 ,...

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 真空アーク ,  プラズマ ,  蒸着 ,  堆積 ,  導電性 ,  ZnO薄膜