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J-GLOBAL ID：200902248810710571   整理番号：03A0339518

半導体プロセス技術のイノベーション 高品位シリコン酸化膜のオゾンによる低温作製技術

Inovation of the semiconductor technology. Low temperature technology using ozone for high grade silicone oxide film production.

著者 (4件)： 一村信吾 (産業技術総合研 極微プロファイル計測研究ラボ) ,  野中秀彦 (産業技術総合研 極微プロファイル計測研究ラボ) ,  黒河明 (産業技術総合研 極微プロファイル計測研究ラボ) ,  中村健 (産業技術総合研 極微プロファイル計測研究ラボ)
資料名： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
巻： 42  号： 5  ページ： 36-41  発行年： 2003年05月01日 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン半導体素子の絶縁膜として,熱負荷の問題を低減できるプ...

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 半導体プロセス ,  イノベーション ,  高品位 ,  シリコン酸化膜 ,  オゾン ,  低温 ,  作製技術