文献

J-GLOBAL ID：200902249068134790   整理番号：08A0996364

化学蒸着を用いた垂直整列カーボンナノチューブの成長への負電場バイアスの役割

Role of Negative Electric Field Biasing on Growth of Vertically Aligned Carbon Nanotubes Using Chemical Vapor Deposition

著者 (7件)： MATSUDA Takafumi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MESKO Marcel (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  ISHIKAWA Tomokazu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SATO Jun (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  OGINO Akihisa (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TAMURA Ryo (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NAGATSU Masaaki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 9 Issue 1  ページ： 7436-7439  発行年： 2008年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱化学蒸着と負電場で直流プラズマ増強化学蒸着によりSi基板上に垂直整列したカーボンナノチューブ(CNT)を成長させた。対照的に正電場下では,CNTは無秩序に成長した。Si及び石英基板上に成長させたCNTの形態を比べ,整列したCNT成長の機構を明らかにした。石英上に成長させたCNTは電場の極性に無関係に無秩序構造を示した。整列したCNTの先端におけるFe触媒は無秩序に成長したCNTのそれと比べて見掛け上伸長した。本観測結果は整列したCNT成長が負電場によるCNTの先端に向かって引かれる電子に作用する静電力に起因する可能性を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： プラズマCVD ,  *カーボンナノチューブ ,  *電場効果 ,  基板 ,  *結晶成長 ,  結晶方位 ,  規則度
準シソーラス用語： Si基板 ,  石英基板

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

引用文献 (25件)：

• W. A. de Heer, A. Chatelain, and D. Ugarte: Science 270(1995)1179.
• W. B. Choi, D. S. Chung, J. H. Kang, H. Y. Kim, Y. W. Jin, I. T. Han, Y. H. Lee, J. E. Jung, N. S. Lee, G. S. Park, and J. M. Kim: Appl. Phys. Lett.75(1999)3129.
• Y. Saito, K. Hamaguchi, R. Mizushima, S. Uemura, T. Nagasako, J. Yotani, and T. Shimojo: Appl. Surf. Sci.146(1999)305.
• S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, and C. Dekker: Nature 393(1998)49.
• R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, and Ph. Avouris: Appl. Phys. Lett.73(1998)2447.

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学蒸着 ,  垂直整列 ,  カーボンナノチューブ ,  成長 ,  電場 ,  バイアス ,  役割