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J-GLOBAL ID：200902249298673266   整理番号：08A0824368

超重度のBドーピングしたSi/Ge多層体の熱電特性の調査

Investigation of Thermoelectric Properties of Si/Ge Multilayer with Ultra-Heavily B Doping

著者 (4件)： MATOBA Akinari (Graduate School of Natural Sci. & Technol. of Kanazawa Univ.) ,  WATASE Hiroyuki (Graduate School of Natural Sci. & Technol. of Kanazawa Univ.) ,  KITAI Masahiro (Graduate School of Natural Sci. & Technol. of Kanazawa Univ.) ,  SASAKI Kimihiro (Graduate School of Natural Sci. & Technol. of Kanazawa Univ.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 49  号： 8  ページ： 1723-1727 (J-STAGE)  発行年： 2008年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si/GeおよびSi/GeB多層構造薄膜を,成長温度を室温から873Kまで変化させたイオンビームスパッタリング(IBS)によって調製した。そして,それらの熱電特性を評価し,Si/Ge超格子に及ぼすホウ素の効果を調べた。XRDスペクトルから,673K以下の温度で調製したサンプルは周期構造を維持するが,773Kを越えると組織は破壊したことを示した。Si/Ge多層薄膜はバルクのSiGe材料の熱電出力より大きな値を示し,また,Si/GeB多層体は成長温度の上昇と共に熱電出力が低下することを示し,これは,ホウ素活性によるキャリア濃度の増加と関連づけられる。電気抵抗率に関して,Si/GeB多層体はSi/Ge多層体より低い電気抵抗率を有していたため,ホウ素ドーピングの効果を確認できた。Si/GeおよびSi/GeBの両方において,電気抵抗率は673Kで最小値を持った。多層体構造はこの温度まで維持するので,電気抵抗率の低下は,低いバンドギャップを有する層のキャリア移動度の増加によるものと考えられる。結果として,Si/GeBは673KにおいてSi/Ge多層体のそれより大きなパワーファクタを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ゲルマニウム化合物 ,  ホウ素 ,  ドーピング ,  *熱電材料 ,  *多層膜 ,  イオンビームスパッタリング ,  結晶構造 ,  加熱温度 ,  電気抵抗率 ,  *ケイ素合金
準シソーラス用語： パワーファクタ

分類 (1件)： 電気的性質  (WB02010Y)

引用文献 (14件)：

• HICKS, L. D. Phys. Rev. B. 1993, 47, 12727-12731
• HICKS, L. D. Phys. Rev. B. 1993, 47, 16631-16634
• GHAMATY, S. Proc. 22nd Int. Conf. Thermoelectrics, 2003. 2003, 563-566
• OKAMOTO, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, L945-L947
• UCHINO, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, L1675-L1677

タイトルに関連する用語 (6件)： ドーピング ,  Si ,  Ge ,  多層体 ,  熱電特性 ,  調査