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J-GLOBAL ID：200902249864371442   整理番号：05A0703589

非晶質水素化シリコンと非晶質高水素化シリコンの局在した伝導帯テイル状態での電子と正孔のホッピング輸送

Hopping Transport of Electrons and Holes at Localized Band Tail States in Amorphous Hydrogenated Silicon and Amorphous Heavy-Hydrogenated Silicon

著者 (3件)： OHNO Kazuhiro (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  MURAYAMA Kazuro (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  MATSUDA Akihisa (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 7A  ページ： 4764-4769  発行年： 2005年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の条件で作製したデバイスレベルの非晶質水素化シリコン(a...

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,...
準シソーラス用語： 伝導帯

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分類 (1件)： 非晶質半導体の構造  (BK04030O)

引用文献 (20件)：

• 1) T. Tiedje, J. M. Cebulka, D. L. Morel and B. Abeles: Phys. Rev. Lett. 46 (1981) 1425.
• 2) T. Tiedje: in The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II, eds. J. D. Joannopoulos and G. Lucovsky (Springer-Verlag, Heidelberg, 1984) p. 261.
• 3) W. E. Spear and P. G. LeComber: Philos. Mag. B 52 (1985) 247.
• 4) J. M. Marshall, R. A. Street and T. J. Thompson: Philos. Mag. B 54 (1985) 51.
• 5) R. Vanderhaghen: Phys. Rev. B 38 (1988) 10755.

タイトルに関連する用語 (9件)： 非晶質水素化シリコン ,  非晶質 ,  水素化シリコン ,  伝導帯 ,  テイル ,  電子 ,  正孔 ,  ホッピング ,  輸送