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J-GLOBAL ID：200902250479862328   整理番号：03A0486531

Hf_1-xSi_xO₂化学蒸着におけるテトラキス-ジエチルアミド-ハフニウムが原因となったtris-ジエチルアミノ-シラン分解

Tris-diethylamino-silane Decomposition due to Tetrakis-diethylamido-hafnium in Hf_1-xSi_xO₂ Chemical Vapor Deposition

著者 (5件)： OHSHITA Y (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  OGURA A (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  ISHIKAWA M (TRI Chemical Lab. Inc., Yamanashi, JPN) ,  KADA T (TRI Chemical Lab. Inc., Yamanashi, JPN) ,  MACHIDA H (TRI Chemical Lab. Inc., Yamanashi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 6A  ページ： L578-L580  発行年： 2003年06月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： tris-ジエチルアミノ-シランSiH(NEt<sub>2<...

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (11件)：

• 1) G. D. Wilk and R. M. Wallace: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2854.
• 2) B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh and W. Qi and J. C. Lee: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1926.
• 3) L. Kang, Y. Jeon, K. Onishi, B. H. Lee, W. Qi, R. Nieh, S. Gopalan and J. C. Lee: 2000 Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Papers, Honolulu, U.S.A., 2000, eds. C. Lage and T. Nishimura, p. 44.
• 4) J. C. Lee, W. Qi, R. Nie, L. Kang, K. Onishi, Y. Jeon and E. Dharmarjan: Proc. MRS High-k Gate Dielectric Workshop, New Orleans, U.S.A., 2000, eds. G. Wilk and V. Misra (MRS, 2000) p. 23.
• 5) S. A. Campbell, R. Smith, N. Hoilien, B. He and W. L. Gladfelter: Proc. MRS High-k Gate Dielectric Workshop, New Orleans, U.S.A., 2000, eds. G. Wilk and V. Misra (MRS, 2000) p. 9.

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学蒸着 ,  テトラ ,  ハフニウム ,  原因 ,  TRIS ,  シラン ,  分解