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J-GLOBAL ID：200902251347272420   整理番号：03A0724016

超薄Al₂O₃誘電体を用いた絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける電流急減の抑制

Suppression of current collapse in insulated gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors using ultrathin Al₂O₃ dielectric

著者 (3件)： HASHIZUME T (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  OOTOMO S (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASEGAWA H (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 14  ページ： 2952-2954  発行年： 2003年10月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲートのないAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ...

シソーラス用語： 超薄膜 ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Al2O3 ,  誘電体 ,  絶縁 ,  ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ