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J-GLOBAL ID：200902251614290050   整理番号：08A1198222

AM-LCDs用のボトムゲート酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFTs)

Bottom-Gate Zinc Oxide Thin-Film Transistors (ZnO TFTs) for AM-LCDs

著者 (16件)： HIRAO Takashi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  HIRAO Takashi (Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN) ,  FURUTA Mamoru (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  FURUTA Mamoru (Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN) ,  HIRAMATSU Takahiro (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  HIRAMATSU Takahiro (Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN) ,  MATSUDA Tokiyoshi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  MATSUDA Tokiyoshi (Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN) ,  LI Chaoyang (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  LI Chaoyang (Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN) ,  FURUTA Hiroshi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  FURUTA Hiroshi (Kochi Industrial Promotion Center, Kochi, JPN) ,  HOKARI Hitoshi (Casio Computer Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YOSHIDA Motohiko (Casio Computer Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  ISHII Hiromitsu (Casio Computer Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAKEGAWA Masayuki (Casio Computer Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55  号： 11  ページ： 3136-3142  発行年： 2008年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)はワイドバンドギャップの透明半導体である。ZnO TFTの電界効果移動度はa-Si:H TFTより高いことが最近報告された。本稿では,新しく開発した2層(SiO_xとSiN_x)ゲート絶縁膜を持つボトムゲートZnO TFTについて報告した。このZnO TFTは,一般的なa-Si:H TFTとプロセス互換性を持っており,大サイズディスプレイ用のa-Si:H TFT生産ラインで容易に生産可能である。このZnO TFTの飽和移動度(μ_sat)はゲート電圧に強く依存した。V_GS=40V,V_DS=10Vにおいて5.2cm²・(V・s)^-1のμ_satと,オンオフ比2.7×10⁷を得た。61600ピクセルの1.46in対角LCDをこのZnO TFTバックプレーンにより駆動した。動画像も得ることができた。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *薄膜トランジスタ ,  バンドギャップ ,  移動度 ,  絶縁膜 ,  ゲート【半導体】 ,  *液晶ディスプレイ ,  比率 ,  動画像 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： LCD【表示装置】 ,  オンオフ比 ,  ワイドバンドギャップ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： Am ,  ボトムゲート ,  酸化亜鉛薄膜 ,  トランジスタ ,  ZnO