文献

J-GLOBAL ID：200902251962215496   整理番号：03A0300716

FACELOにより作製したGaNのX線による結晶性の評価

著者 (5件)： 家近泰 (住友化学 筑波研) ,  清水誠也 (住友化学 筑波研) ,  前田尚良 (住友化学 筑波研) ,  三宅秀人 (三重大 工) ,  平松和政 (三重大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 50th  号： 1  ページ： 401  発行年： 2003年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： FACELO ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0300716&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 作製 ,  GaN ,  X線 ,  結晶性 ,  評価