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J-GLOBAL ID：200902252207962288   整理番号：05A0824954

電子-光サンプリング技術を用いたInGaAs/InAlAs HEMT過渡応答のキャラクタリゼーション

Characterization of the InGaAs/InAlAs HEMT Transit Output Response by Using an Electro-Optical Sampling Technique

著者 (5件)： KIM Seong-Jin (Itswell Co., Ltd., Chungbuk) ,  ITATANI T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SUGAYA T. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OGURA M. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SUGIYAMA Y. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 47  号： 3  ページ： 520-524  発行年： 2005年09月15日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常のオシロスコープやネットワークアナライザを用いた電子的な...

シソーラス用語： *インパルス応答 ,...
準シソーラス用語： 電子-光サンプリング ,...

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分類 (3件)： 波形,周波数,波長,位相の計測法・機器  (AD07040Y) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子 ,  光サンプリング ,  InGaAs ,  InAlAs ,  HEMT ,  過渡応答 ,  キャラクタリゼーション