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J-GLOBAL ID：200902252247789783   整理番号：06A0746188

メタルマスク(MM)法によるInAs量子ドットの選択領域成長

著者 (8件)： 高田賀章 (筑波大) ,  尾崎信彦 (筑波大) ,  大河内俊介 (NEC) ,  杉本喜正 (筑波大) ,  杉本喜正 (産業技術総合研) ,  池田直樹 (筑波大) ,  池田直樹 (産業技術総合研) ,  浅川潔 (筑波大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 67th  号： 1  ページ： 300  発行年： 2006年08月29日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,...
準シソーラス用語： *領域選択成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： メタルマスク ,  法 ,  InAs量子ドット ,  領域成長