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J-GLOBAL ID：200902252361744781   整理番号：04A0709728

異なった抵抗率温度係数を持つナノ構造パラジウムドープSiO₂膜の作製

Fabrication of nanostructured palladium-doped SiO₂ films with variable temperature coefficient of resistivity

著者 (5件)： ICHINOHE T (Tokyo National Coll. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MASAKI S (Tokyo National Coll. of Technol., Tokyo, JPN) ,  UCHIDA K (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  NOZAKI S (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  MORISAKI H (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 466  号： 1/2  ページ： 27-33  発行年： 2004年11月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノメータ寸法のPd超微粒子を種々の濃度で含むパラジウム(P...

シソーラス用語： *パラジウム ,...

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  非金属化合物に見られる電子伝導  (BM03034D) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 抵抗率 ,  温度係数 ,  ナノ構造 ,  パラジウム ,  ドープ ,  SiO2 ,  作製