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J-GLOBAL ID:200902252574058806   整理番号:05A0265544

MOCVDにより(111)シリコン基板上に成長させたInGaN LEDの高い性能

High Performance of InGaN LEDs on (111) Silicon Substrates Grown by MOCVD
著者 (3件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 169-171  発行年: 2005年03月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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金属有機化学蒸着(MOCVD)を用いたSi(111)基板上の...
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