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J-GLOBAL ID：200902252574058806   整理番号：05A0265544

MOCVDにより(111)シリコン基板上に成長させたInGaN LEDの高い性能

High Performance of InGaN LEDs on (111) Silicon Substrates Grown by MOCVD

著者 (3件)： EGAWA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ZHANG B (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 26  号： 3  ページ： 169-171  発行年： 2005年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属有機化学蒸着(MOCVD)を用いたSi(111)基板上の...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...
準シソーラス用語： 促進試験

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOCVD ,  シリコン基板 ,  成長 ,  InGaN ,  LED