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J-GLOBAL ID:200902252620672999   整理番号:05A0054465

超薄型ゲート酸化膜完全空乏型(FD)SOI n型MOSFETのフロント-バックゲート結合効果に及ぼす7.5MeV陽子照射の影響

Impact of 7.5-MeV Proton Irradiation on Front-Back Gate Coupling Effect in Ultra Thin Gate Oxide FD-SOI n-MOSFETs
著者 (8件):
資料名:
巻: 51  号: 6,Pt.2  ページ: 3795-3800  発行年: 2004年12月 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 

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