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J-GLOBAL ID：200902252620672999   整理番号：05A0054465

超薄型ゲート酸化膜完全空乏型(FD)SOI n型MOSFETのフロント-バックゲート結合効果に及ぼす7.5MeV陽子照射の影響

Impact of 7.5-MeV Proton Irradiation on Front-Back Gate Coupling Effect in Ultra Thin Gate Oxide FD-SOI n-MOSFETs

著者 (8件)： HAYAMA K (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  TAKAKURA K (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  OHYAMA H (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  RAFI J M (Inst. Microelectronica de Barcelona (CNM-CSIC), Bellaterra, ESP) ,  MERCHA A (Inter-Univ. Micro-Electronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  SIMOEN E (Inst. Microelectronica de Barcelona (CNM-CSIC), Bellaterra, ESP) ,  CLAEYS C (Katholieke Univ. (KU) Leuven, Leuven, BEL) ,  KOKKORIS M (Inst. Nuclear Physics, Athens, GRC)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 51  号： 6,Pt.2  ページ： 3795-3800  発行年： 2004年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.1μm完全空乏型(FD)SOI-n型MOSFETに7.5...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： ゲート結合効果 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 超薄型 ,  ゲート酸化膜 ,  SOI ,  MOSFET ,  フロント ,  バックゲート ,  陽子照射