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J-GLOBAL ID：200902253994526623   整理番号：04A0085651

埋め込み金属ゲートをもつInPホットエレクトロントランジスタ

InP Hot Electron Transistors with a Buried Metal Gate

著者 (7件)： MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO R (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MAEDA H (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKEUCHI K (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MACHIDA N (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  WERNERSSON L-E (Lund Univ., Lund, SWE) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 12  ページ： 7221-7226  発行年： 2003年12月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホット電子のバリスティック性を利用した埋め込み金属ゲーとを持...

シソーラス用語： 埋込み【挿入】 ,...
準シソーラス用語： ホットエレクトロントランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (14件)：

• 1) L.-E. Wernersson, R. Yamamoto, E. Lind, I. Pietzonka, W. Seifert, Y. Miyamoto, K. Furuya and L. Samuelson: Proc. 28th Int. Symp. Compound Semiconductors 2001, Inst. Phys. Conf. Ser. 170 (2002) 81.
• 2) C. O. Bozler and G. D. Alley: IEEE Trans Electron Devices 27 (1980) 1128.
• 3) Y. Miyamoto, R. Yamamoto, H. Maeda, K. Takeuchi, L.-E. Wernersson and K. Furuya: 60th Device Research Conf. III.-20, Santa Barbara, CA, 2002.
• 4) K. Takeuchi, R. Yamamoto, H. Maeda, Y. Miyamoto and K. Furuya: 2002 International Microprocesses and Nanotechnology Conference 6B-3-4, Tokyo, 2002.
• 5) T. Arai, S. Yamagami, Y. Miyamoto and K. Furuya: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L735.

タイトルに関連する用語 (4件)： 埋め込み ,  金属ゲート ,  InP ,  ホットエレクトロントランジスタ