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J-GLOBAL ID：200902254131472769   整理番号：08A0178698

極度に安定な波長を有する1.5μm発光素子に対するEr,OコドープGaAsでの励起と緩和の機構

Mechanism of excitation and relaxation in Er,O-codoped GaAs for 1.5 μm light-emitting devices with extremely stable wavelength

著者 (9件)： FUJIWARA Yasufumi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAKEMOTO Shouichi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TOKUNO Takehiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HIDAKA Keiji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ICHIDA Hideki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUZUKI Masato (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TERAI Yoshikazu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANEMATSU Yasuo (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TONOUCHI Masayoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 205  号： 1  ページ： 64-67  発行年： 2008年01月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光ダイオードへの希土類ドープIII-V半導体応用に関する基礎研究の一環として,本研究では,Er,OコドープGaAs(GaAs:Er,O)でのエネルギー移動過程を,ポンププローブ法反射率測定によって調べた。その結果に基づいて,1)時間分解反射率は,特徴的なディップを示すこと,2)その特徴は,1ps以下のバンドギャップくり込みに起因する負の信号と緩やかな回復であること,3)この回復過程には,速い成分と遅い成分とがあること,を記した。これら回復過程を,多重フォノン支援模型に基づいて論じた。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  半導体素子 ,  ドーピング ,  エルビウム ,  酸素 ,  *発光ダイオード ,  ヘテロ接合 ,  多層 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  *エレクトロルミネセンス ,  発光スペクトル ,  時間分解分光法 ,  反射率 ,  ポンププローブ法 ,  時間依存性 ,  濃度依存性 ,  スペクトル線強度 ,  フォノン ,  モデリング
準シソーラス用語： りん化インジウムガリウム ,  発光素子

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 波長 ,  発光素子 ,  Er ,  GaAs ,  励起 ,  緩和